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炬光科技斬獲兩項2022榮格激光創(chuàng)新獎
發(fā)布日期：2022-07-12
?近日，炬光科技旗下“預制金錫氮化鋁襯底”和“DLight S系列半導體集成電路晶圓退火系統(tǒng)”兩款產(chǎn)品脫穎而出，雙雙斬獲2022激光加工行業(yè)-榮格激光創(chuàng)新獎。
預制金錫薄膜技術(shù)是保證光電子器件長期可靠使用的關(guān)鍵技術(shù)。與傳統(tǒng)銦、錫鉛、錫鉍等材料相比，金錫鍵合的器件在耐用性、抗氧化能力和抗熱疲勞能力上具有更優(yōu)異的表現(xiàn)。
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預制金錫氮化鋁襯底
炬光科技預制金錫AIN陶瓷襯底AMC產(chǎn)品系列采用物理氣相沉積工藝，預制金錫薄膜厚度可以做到10微米以內(nèi)，公差為+/-1微米，厚度均勻性可以達到3%左右，在應用時大大增加了芯片封裝界面焊料鋪展的均勻性，降低封裝界面空洞，再結(jié)合高精度表面加工水平，更加滿足高功率芯片鍵合的需求。炬光科技是預制金錫薄膜工藝和金錫共晶鍵合工藝的技術(shù)領導者，在此領域擁有超過10年的技術(shù)沉淀。公司自2020年起對外供應金錫襯底材料產(chǎn)品，目前已具備月產(chǎn)能超過50萬只的大批量生產(chǎn)制造能力，與國內(nèi)外11家客戶建立了合作關(guān)系，打破了日本公司95%以上市占率的壟斷地位。同時炬光科技也為客戶提供定制化預制金錫襯底材料產(chǎn)品和金屬薄膜化制備服務。
DLight S系列半導體集成電路晶圓退火系統(tǒng)
隨著半導體制造技術(shù)的不斷發(fā)展和超大規(guī)模集成電路設計制造能力的不斷提升，激光退火技術(shù)逐漸取代傳統(tǒng)爐管退火技術(shù)，成為半導體制造領域的主流技術(shù)。激光退火相對于傳統(tǒng)退火，具有選區(qū)加熱、閉環(huán)精準控溫、高能量密度、連續(xù)能量輸出穩(wěn)定等特點，能夠滿足多種退火工藝需求。
DLight S系列半導體集成電路晶圓退火系統(tǒng)
炬光科技DLight?S系列半導體集成電路晶圓退火系統(tǒng)，結(jié)合多項產(chǎn)生光子、調(diào)控光子的核心技術(shù)，可生成一條線寬70μm，長寬比達160:1的近紅外波段極窄線光斑，提供高達1800W/mm2的連續(xù)能量輸出，主要應用于28nm及以下半導體邏輯芯片制造前道工序。通過高能量密度激光照射到晶圓表面，在不到1毫秒的時間內(nèi)將表層原子層加熱到1000℃以上再急速冷卻，有效減少工序中產(chǎn)生的晶圓電極缺陷，提高產(chǎn)品性能，提升晶圓生產(chǎn)良品率。目前，該系統(tǒng)已在2 家國內(nèi)頂尖半導體設備集成商客戶、2 家全球TOP5晶圓代工廠完成工藝驗證。
此次，一共有64家企業(yè)申報了73項創(chuàng)新產(chǎn)品，幾乎覆蓋了目前激光技工領域的全部產(chǎn)業(yè)鏈設備及應用產(chǎn)品，最終有34項創(chuàng)新技術(shù)和1家企業(yè)獲得本年度榮格激光加工技術(shù)和創(chuàng)新獎和年度創(chuàng)新團隊獎。據(jù)主辦方信息，本屆頒獎典禮和激光加工技術(shù)論壇將于9月23日在上海舉行。
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